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释义

VCSEL

中文百科

垂直腔面发射激光器 Vertical-cavity surface-emitting laser

(重定向自VCSEL)

垂直腔面发射激光器Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,简称VCSEL,又译垂直共振腔面射型雷射)是一种半导体,其雷射垂直于顶面射出,与一般用切开的独立晶元制成,雷射由边缘射出的边射型雷射有所不同。

在制作的过程中,VCSEL比边射型雷射多了许多优点。边射型雷射无法在制作完成后进行测试。若一个边射型雷射无法运作,不论是因为接触不良或者是物质成长的品质不好,都会浪费制作过程与物质加工的处理时间。然而VCSEL可以在制造的任何过程中,测试其品质并且作问题处理,因为VCSEL的雷射是垂直于反应区射出,与边射型雷射平行于反应区射出相反,所以可以同时有数万个VCSEL在一个三英吋大的砷镓晶元上被处理。此外,既使VCSEL在制造的过程需要较多的劳动与较精细的材料,生产结果是可被控制的及更多可被预期的。

英语百科

Vertical-cavity surface-emitting laser 垂直腔面发射激光器

(重定向自VCSEL)
Diagram of a simple VCSEL structure.
A realistic VCSEL device structure. This is a bottom-emitting multiple-quantum-well VCSEL.

The vertical-cavity surface-emitting laser, or VCSEL /ˈvɪksəl/, is a type of semiconductor laser diode with laser beam emission perpendicular from the top surface, contrary to conventional edge-emitting semiconductor lasers (also in-plane lasers) which emit from surfaces formed by cleaving the individual chip out of a wafer.

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