可变电阻式内存 Resistive random-access memory
(重定向自Resistive RAM)
可变电阻式内存(英语:Resistive random-access memory,缩写为 RRAM 或ReRAM),是一种新型的非挥发性内存。类似的技术还有CBRAM与相变化内存,目前许多公司都正在发展这种技术。
ReRAM的优点在于消耗电力较低,且写入信息速度比NAND闪存快1万倍。蔡少棠认为,可变电阻式内存将会是一种忆阻器的形式。
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